弯大礼堂里在座近五百号人，随便拎出一个都上了十几二十年的学。
从到大老师、教授见过的没三五百也有一二百，严厉的、慈祥的、风趣的、刻板的……
见多识广到都不需要大脑去分析，只打个照面再听上两句话，凭潜意识就知道讲台上杵着的是个什么性格，又该拿捏出什么样的状态去应对。
所谓“状态”，不止是外在表现，还有心弦绷紧的程度。
曲卓并没有刻意板着脸，语气听起来也不甚凌厉，但简单的一番话出口，台下的一众大龄学子和教职工，下意识就从外在绷紧，变成了内心绷紧。
没什么可吹嘘的。
连“自古”就自视甚高，且惯会瞎闹腾的北大学生，某人都能压得住场，遑论今这帮已经被人三令五申各种强调和规范后的老学子了。
唯独一点，没人想到某饶开场白会如此简洁干脆。一个个的还等着开场白后鼓掌呢，结果直接就开始了……还没来得及调整好状态。
话，“学识渊博如海”这种话，是能生受的吗？
不是应该谦虚一下吗？
你……传统美德呢？
你得有多自信呀？
一时间，有点冷场……
“呵~”曲卓等了几秒不见有人发声，轻笑一声，嘴里念叨：“还挺矜持。哪位有勇气的，先给大家打个样儿。”
一句北方方言出口，在座的虽然基本都没听过，但凭语气，再结合前面的话，很轻易就能猜测是什么意思。
按计划第一个提问的，一位来自于交大半导体专业的博士生，中学生似的举起右手。
“你。”曲卓抬手示意。
“曲博……教授，我们在试产4英寸硅晶圆时，边缘位错密度超每平方厘米八百个，良率只有六成。请问，如何在实验室阶段降缺陷？
“用管式炉做1100度，800c去除表面损伤层，600c进行掺杂激活。石英坩埚内壁涂层氮化硼，减少杂质污染。这是你们现在最大的问题。
另外，良品率还涉及到中子嬗变掺杂、氢退火，外延层质量控制、光刻对准精度和离子注入均匀性等多环节优化。
相关问题，前几我在中研院物理所，与一众专家进行过系统性的讨论，抽时间你可以去请教，今在这里就不赘述了。”
用最简练的语言回答完问题，曲卓压手示意男生坐下，视线转向所有人：“后面提问的省去前面的敬语，提问完自行坐下。让你们站起来，是为了记住哪个提的问题，方便我下次检查成果。”
“……”
所有人莫名的压力感越发的强，以至于一个个的表情都拘谨的厉害。
“你们的年龄告诉我，应该都是硕博研究生。”曲卓清朗干脆的声音在硕大的空间内回荡：“在你们这一阶段，应该具备最基本的自主学习、探索能力、科研能力，以及团队协作能力。
我告诉你们答案，是为了让你们少走弯路。具体过程，需要你们自行摸索与解决，并做出归纳和总结。下次我站在这里时，要看到你们的实验报告。”
话间曲卓看向礼堂后方：“请诸位师长仅为学生提供最基本的支持与便利。剩下的，博士带硕士，学长带学弟，先进带后进，从组建团队到实验设计，再到具体实施，尽量让他们自行完成。
不要怕犯错，犯错也是经验的累积。
如此，才能尽快锻炼出几支，拥有独立研发与设计能力的团队，而不是一帮跟屁虫式的实验室助手。”
“……”
礼堂后方年龄较长和稍大的那些位，面上颔首认同，心里直打含糊。
支持？
拿什么支持？
几家的管式炉，最高温度只能达到900到1000度……1100度？
还有氮化硼涂层……那是涂就涂的么？
问题是，听台上那货的语气，好像应该是随手可得的，要提出来没迎…也太卡颜面啦。
年长者为了面子不吱声，提问的年轻人同样为了面子不吱声，坐那默默的吞苦水……
同时在心里呐喊：英雄，饶命呀~
空气短暂的安静后，一位工研院的年轻研究员率先醒过神，高举起右臂。
待曲卓抬手示意后，起身：“省内g 线光刻胶依赖进口。我们试着在实验室自行合成时，光敏剂和树脂总不兼容。请问，有解决办法吗？”
“邻醌二叠氮百分之八上下与酚醛树脂1比9混合，平衡光敏性和膜厚稳定性。使用乙二醇单甲醚醋酸酯或甲基异丁基酮做主溶剂，控制胶液粘度在50到80厘泊，目标支持分辨率1.5微米。我等你出成果。”
曲卓话音落下时，已经有人翻开面前的笔记本开始记录了……
翻开笔记本，甭管有用没有都要做记录……这是事先有要求的。
但某人节奏太快，以至于大家给忘了。
这会儿想起来记，是真的需要记……
“讲。”曲卓示意举手的……瞅着还算年轻，但应该是已婚的女人。
“我的问题是，1微米工艺的VLSI做铝布线，高温状态铝、硅互互相扩散，导致pN结漏电，实验室层面有没迎…比较简单的方法可以阻挡？”
“蒸镀五十纳米的钛层，600度形成高阻c49相，800度转化为低阻 c54 相形成tiSi?阻挡层，可以阻止铝扩散。布线改用含百分之一硅的铝合金，电阻率能降到每厘米2.8-3.0微欧。
如果你努力一些，攻破电子束蒸发和快速热退火，可以做到2.5微欧。不过，别想着申请专利。因为，我已经注册过了。”
“……”
好多人在下意识吞口水。还有人想问：“英雄，你是不是太高看我们啦？”
依旧是那句话：决不能坠了自家的面子……硬憋！
“老师…我们课题组搭的16K dRAm，Sio?介质层漏电，刷新周期不足1.5毫秒，该怎样优化介质层？”
“用等离子体增强化学气相沉积做 Sio?，呃……你们可以用低压化学气相沉积或热氧化工艺，厚度十二纳米，击穿场强能提到每厘米一千万伏特，刷新周期应该能够延长到2毫秒……回头我送你们一套pEcVd。”
这话一出口，台下不少人险些热泪盈眶。
不是……或者不止是因为能白得一套必然先进到根本没有商业化生产的实验室设备。
更想高声呐喊：“英雄，你终于意识到了么？在你认知里就摆在手边的东西，我们这里根本就没有条件呀！”
与其他人不同，后排坐着的施敏在亢奋。
他为什么过得那么憋屈，还闷不吭声的留在贝尔实验室。
一方面是图贝尔的“牌子”，出去有面子，能衬托他的档次，代表他的实力。
一方面是图实验室内先进的仪器和设备。
搞半导体器件，离不开硬件支持。他早就有心回弯省了，但弯省几个实验室的条件，根本就不足以支撑他的研究。
现在，就是此刻，他通过刚才台上“准老板”言语间透露出的信息，已经非常笃定了，答应的最顶尖的实验室，一定是最顶尖的。
大概率比贝尔实验室的条件要强的多。
实在太令人期待了……
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