“两块石子落进湖里，如果距离合适，产生的水波会交汇。注意观察它……
如果水波交会时，一个波峰遇到另一个波谷，就会相互抵消变弱。如果一个波峰遇到另外一个波峰，则会叠加增强。
代入到电磁波，两个频率相同的电磁波互相干扰，会在有的方向增强，有的方向抵消。
如果改变两个波的发射时间，或是改变两个波的发射位置，就能够改变增强波的方向，这就是相位干涉。
不是什么新鲜玩意，相关理论的行程可以追溯至三十年代……”
曲某饶发了一阵脾气后，沉寂了三。待英国佬和高卢人出发奔西昌，冒出来一群重量人士。
很重，黄金那么重。
领头的是个子不高，身材很瘦的刘姓老将。余下的分别来自于国防科委、国防工办和科装委……这三个部门加在一起，就是以后的科工委。
原本不会有这么大阵仗的。
某饶话传回京城，把不少人气够呛。但有点没招儿……好像真的不太能命令得着他。
对某人了解颇“深”科委主任张上将得知后，笃定的：赶紧派人去，那子肚子里有大货。
就因为这话，才组团来了这么多人……
虽然有几个打过照面，但算不上多熟，曲某人摆出冷淡脸一视同仁。在八院设计部门的会议室，给一帮人扎扎实实的上了一趟课……
“相控干涉”是相控阵雷达实现电子扫描的核心基础原理之一。
完整的相控阵技术,有相位干涉、阵列线架构和信号处理三大核心要素。
二十年代末到三十年代理论出现，英国佬在35年发明的脉冲雷达，为后续发展奠定了基础。
汉斯GEmA公司在36年搞出了“爱神”雷达，首次尝试垂直面电扫描。37年的正式列装型号时，探测距离达到96公里。
但真空管寿命和稳定性都不行事儿，虽然理论参数很亮眼，但实际应用效果并不十分理想。
老美在37年启动了相控阵雷达研究，探索电子扫描技术的可行性。因为缺乏实用化的硬件支撑，更多只是停留在理论和技术验证阶段……
直到五十年代后，硅基半导体材料得到初步应用，推动雷达从真空管向固态器件过渡。
55年，老美采用硅基晶体管实现电子扫描的AN\/SpS-32\/33舰载相控阵雷达，开始装备到“企业” 号航母，算是实际应用的开端。
64年老美“微电子用于雷达计划”（mERA）首次研制出604单元的L波段有源阵列，验证了分布式发射与接收（t\/R）组件的可行性。
69年，老美空军将mERA升级为RASSR计划，开发出1648单元的阵列，但受限于硅器件性能无法实用化。
同样是69年，老美的AN\/FpS-85空间监视雷达投入使用。配备32兆瓦发射功率，可跟踪2.2万海里外的卫星。
76年，又搞出了采用固态t\/R组件的AN\/FpS-115“铺路爪”雷达，探测距离达5500公里，成为弹道导弹防御的核心装备……
以上的这些，都是每个线单元都搭配1个独立t\/R组件。每个组件都能自主产生、放大信号和处理信号的分布式阵列，就是所谓的有源相控阵雷达。
人话：每个线单元都是一个喇叭，能自己喊话、自己听声。
性能表现优秀且全面，但造价昂贵。
于是，一种基于费效比的折中方案出现了。
只有1个或少数几个集中式大功率发射机，信号先由发射机放大到高功率，再通过功率分配网络输送到每个线单元；接收时所有线单元的信号也需汇总到1个或少数几个集中式接收机进行处理……
人话：一个大喇叭喊话，所有线单元传声，就是所谓的无源相控阵雷达。
没错，有源相控阵比无源相控阵出现，并得到应用的更早。但无源相控阵结构简单成本较低，率先实现战术级普及。
比较划时代的例子，是75年毛子米格- 31截击机上装备的N007“屏障”无源雷达。米格- 31也是全球首款搭载相控阵火控系统的战机。
到这里，硅基相控阵雷达的发展进入了瓶颈期。
受硅高频损耗限制，主要工作在1-6 Ghz的L\/S波段。难以覆盖8-12 Ghz的x波段。
对大型目标探测约200-300公里，对型目标不足100公里。且工作带宽窄，易受敌方电子压制……
在80年这一时间节点，第二代半导体材料砷化镓与相控阵雷达的应用，已经完成了实验室验证。
之所以没有实际应用，是卡在了缺陷控制和工业化制备上。
高卢佬之所以急，是因为他们在70年代末，就展开了砷化镓电子元件应用于雷达的研究。所表现出的特性，又让人充满了无限的期待。
但即便在实验室条件下，砷化镓晶锭的缺陷控制，都只能看意。器件加工良品率不到百分之三十。制备成本高到让人头皮发麻，完全不具备实践化的可能。
同样被良品率和成本困扰的还有老美的雷神公司，他们也确认了砷化镓材料在雷达应用上的优秀前景。
但和高卢人一样，不论是晶锭缺陷控制还是加工良品率，有太多问题等待解决。
83年推出AN\/SpY-1A无源雷达，只能退而求其次的采用铁氧体移相器，机械加电子混合扫描体制。并以此构成邻一代宙斯盾系统的核心。
直到90年代，采用液相外延法取代了液封直拉法和水平布里奇曼法，并采用光学光刻配合电子束光刻，勉强实现了砷化镓器件的工业化生产。
并应用到了下一代宙斯盾系统的AN\/SpY-1d雷达。和F22战机的AN\/ApG-77机载雷达上。成就了一段先敌发现，先敌开火的无敌神话。
后面的就不需要絮叨了，老美用功率密度一到三瓦的第二代半导体材料的砷化镓，碾压了功率密度0、1到0.5瓦的硅基器件，保持了二十多年的领先。
我们采用“蛙跳”战术，跳过邻二代半导体材料，直接上功率密度十到二十瓦的氮化镓……
在80年四月这个时间点，曲卓不知道老美的砷化镓距离工业化制备还有多远。但他知道京城的半导体所差的还很远，即便有他提供的外延生长设备。
眼下在实验室内仅能制备2英寸单晶锭，缺陷密度高达每平方里面十的四次方。砷化镓器件的加工，正在摸索和积累经验。
实验室制备，他能帮上忙。但想实现工业化制备，他能做的十分有限。
以他的所知，起码需要自行设计钼制加热线圈，并完成由计算机控制的“梯度升温法”。解决区域熔融和液相外延复合工艺，还需要研制卧式外延炉，开发晶体切割与抛光自动化生产线。
对实验室精密设备的“掌握”，曲卓是借助剑桥，剑桥依靠欧洲的技术实力完成的。
工业化生产，原本也计划借助欧洲的技术实力。
但之前从高卢往回来时，日子一头撞了上来。眼下正排在戴英和高卢后面，急的一蹦一跳呢……
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